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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：HGT1S20N35G3VLS

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 380V 20A 150W TO263AB

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：HGT1S20N35G3VLS

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 380V 20A 150W TO263AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：375V

電流-集電極(Ic)（最大值）：20A

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 5V，20A

功率-最大值：150W

開關(guān)能量：-

輸入類型：邏輯

柵極電荷：28.7nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：-/15μs

測試條件：300V，10A，25歐姆，5V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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