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      圖片信息
      FQPF6N80T圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:FQPF6N80T
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    7. 點擊此處下載FQPF6N80T的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:FQPF6N80T
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產(chǎn)品系列:QFET?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):800V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.3A(Tc)
    20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.95 歐姆 @ 1.65A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±30V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):51W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 器件封裝:TO-220F
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