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      圖片信息
      FGY75T120SQDN圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:FGY75T120SQDN
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數:IGBT 1200V 75A UFS
    6. 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:FGY75T120SQDN
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT 1200V 75A UFS
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):150A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):300A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A
    21. 功率-最大值:790W
    22. 開關能量:6.25mJ(開),1.96mJ(關)
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:399nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:64ns/332ns
    26. 測試條件:600V,75A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):99ns
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-247-3
    31. FGY75T120SQDN均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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