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      圖片信息
      FDMS86200E圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:FDMS86200E
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數(shù):FET 150V 18.0 MOHM PQFN56
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:FDMS86200E
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:FET 150V 18.0 MOHM PQFN56
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:-
    17. 技術:-
    18. 漏源電壓(Vdss):-
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):9.6A(Ta),35A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
    24. Vgs(最大值):-
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):-
    28. 工作溫度:-
    29. 安裝類型:-
    30. 器件封裝:-
    31. FDMS86200E均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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