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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FDMS3660S-F121

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FDMS3660S-F121

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：PowerTrench?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：13A，30A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 13A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1765pF @ 15V

功率-最大值：1W

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

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