深圳市南皇電子有限公司長期提供FDD3510H（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FDD3510H

技術標準參數(shù)：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FDD3510H

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：PowerTrench?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 和 P 溝道，共漏

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：80V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4.3A，2.8A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：800pF @ 40V

功率-最大值：1.3W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD

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