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      圖片信息
      EMD4DXV6T1G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:EMD4DXV6T1G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    6. 產品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:EMD4DXV6T1G
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
    18. 電阻器-基極(R1):47 千歐,10 千歐
    19. 電阻器-發(fā)射極(R2):47 千歐
    20. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
    21. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
    22. 電流-集電極截止(最大值):500nA
    23. 頻率-躍遷:-
    24. 功率-最大值:500mW
    25. 安裝類型:表面貼裝型
    26. 封裝:SOT-563,SOT-666
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