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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：EFC2K102NUZTDG

技術(shù)標準參數(shù)：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：EFC2K102NUZTDG

制造商：ON Semiconductor

描述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：卷帶（TR）

零件狀態(tài)：-

FET類型：有源

FET功能：2 N 溝道（雙）共漏

漏源電壓（Vdss）：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：33A（Ta）

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.65 毫歐 @ 5A，4.5V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：42nC @ 3.8V

功率-最大值：-

工作溫度：3.1W（Ta）

安裝類型：150°C（TJ）

封裝：表面貼裝型

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