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      圖片信息
      ECH8402-TL-E圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:ECH8402-TL-E
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET - 單
    7. 點擊此處下載ECH8402-TL-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. ON安森美半導(dǎo)體完整型號: ECH8402-TL-E
      制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
      功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
      系列: -
      FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
      FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
      漏源極電壓(Vdss): 30V
      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta)
      不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 15 毫歐 @ 5A,10V
      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 28nC @ 10V
      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1400pF @ 10V
      功率 - 最大值: 1.6W
      安裝類型: 表面貼裝
      產(chǎn)品封裝: 8-SMD,扁平引線
      供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH
      ECH8402-TL-E均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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      ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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