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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：BFR31LT1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：JFET N-CH 225MW SOT23

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - JFET

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：BFR31LT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 225MW SOT23

系列：晶體管 - JFET

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-

漏源電壓（Vdss）：25V

不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：1mA @ 10V

漏極電流(Id)-最大值：-

不同Id時電壓-截止(VGSoff)：2.5V @ 0.5nA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5pF @ 10V

電阻-RDS(On)：-

功率-最大值：225mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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