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      圖片信息
      4N30W圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:4N30W
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:光隔離器 - 晶體管,光電輸出
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:4N30W
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
    13. 系列:光隔離器 - 晶體管,光電輸出
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. 通道數(shù):1
    16. 電壓-隔離:5300Vrms
    17. 電流傳輸比(最小值):100% @ 10mA
    18. 電流傳輸比(最大值):-
    19. 接通/關(guān)斷時間(典型值):5μs,40μs(最大)
    20. 上升/下降時間(典型值):-
    21. 輸入類型:DC
    22. 輸出類型:有基極的達林頓晶體管
    23. 電壓-輸出(最大值):30V
    24. 電流-輸出/通道:150mA
    25. 電壓-正向(Vf)(典型值):1.2V
    26. 電流-DC正向(If)(最大值):80mA
    27. Vce飽和壓降(最大):1V
    28. 工作溫度:-55°C ~ 100°C
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:6-DIP(0.400,10.16mm)
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