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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：2SJ661-DL-1E

技術標準參數：MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：2SJ661-DL-1E

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：38A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 19A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4360pF @ 20V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.65W（Ta），65W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-263-2

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