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      圖片信息
      2SJ651圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:2SJ651
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. ON安森美半導(dǎo)體完整型號: 2SJ651
      制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
      功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
      系列: -
      FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
      FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
      漏源極電壓(Vdss): 60V
      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 20A(Ta)
      不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 60 毫歐 @ 10A,10V
      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 45nC @ 10V
      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 2200pF @ 20V
      功率 - 最大值: 2W
      安裝類型: 通孔
      產(chǎn)品封裝: TO-220-3 整包
      供應(yīng)商器件封裝: TO-220ML
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