深圳市南皇電子有限公司長期提供PSMN9R1-30YL（品牌: Nexperia）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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PSMN9R1-30YL - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Nexperia代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PSMN9R1-30YL

原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 單-晶體管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Nexperia公司器件型號：PSMN9R1-30YL,115

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：TrenchMOS??

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：57A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）：16.7nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：894pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：52W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：9.1 毫歐 @ 15A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝形式：SC-100，SOT-669

PSMN9R1-30YL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：1500 PCS

PSMN9R1-30YL均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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