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      圖片信息
      PMGD280UN圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:PMGD280UN
    4. 原始制造廠商:Nexperia,安世半導體
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
    6. 產品應用分類:FET,MOSFET - 陣列-晶體管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Nexperia公司器件型號:PMGD280UN,115
    11. 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
    12. 功能總體描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
    13. 所屬類別:FET,MOSFET - 陣列-晶體管
    14. 系列:TrenchMOS??
    15. 零件狀態(tài):在售
    16. FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
    17. FET 功能:邏輯電平門
    18. 漏源極電壓(Vdss):20V
    19. 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):870mA
    20. 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):340 毫歐 @ 200mA,4.5V
    21. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    22. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):0.89nC @ 4.5V
    23. 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):45pF @ 20V
    24. 功率 - 最大值:400mW
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝
    27. 封裝形式:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    28. Nexperia公司標準封裝:6-TSSOP
    29. PMGD280UN的標準包裝數(shù)量(SPQ):3000 PCS
    30. PMGD280UN均從Nexperia代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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