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      圖片信息
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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:PMFPB8032XP,115
    4. 原始制造廠商:Nexperia,安世半導體
    5. 技術標準參數:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:PMFPB8032XP,115
    11. 制造商:Nexperia USA Inc.
    12. 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:P 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):20V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.7A(Ta)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):102 毫歐 @ 2.7A,4.5V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8.6nC @ 4.5V
    24. Vgs(最大值):±12V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V
    26. FET功能:肖特基二極管(隔離式)
    27. 功率耗散(最大值):485mW(Ta),6.25W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:6-HUSON-EP(2x2)
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