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      圖片信息
      PMK30EP,518圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PMK30EP,518
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:PMK30EP,518
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
    13. 系列:TrenchMOS?
    14. FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):14.9A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):19 毫歐 @ 9.2A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2240pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:6.9W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    25. 供應(yīng)商器件封裝:8-SO
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