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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PMGD175XN,115

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：PMGD175XN,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：900mA

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：225 毫歐 @ 1A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：75pF @ 15V

功率-最大值：390mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

PMGD175XN,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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