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      圖片信息
      PMDXB600UNE圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PMDXB600UNE
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
    6. 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:PMDXB600UNE
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
    13. 系列:TrenchFET
    14. FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):20V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):600mA
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA, 4.5V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):21.3pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:265mW
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤
    25. 供應商器件封裝:6-DFN (1.1x1)
    26. PMDXB600UNE均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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