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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PMDPB55XP,115

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

NXP恩智浦完整型號：PMDPB55XP,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

系列：-

FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：785pF @ 10V

功率 - 最大值：490mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-HUSON（2x2）

PMDPB55XP,115均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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