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      圖片信息
      PMDPB28UN,115圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PMDPB28UN,115
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    7. 點擊此處下載PMDPB28UN,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:PMDPB28UN,115
    11. 制造商:NXP USA Inc.
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):20V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.6A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):37 毫歐 @ 4.6A,4.5V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 4.5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):265pF @ 10V
    24. 功率-最大值:510mW
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:6-UDFN
    28. PMDPB28UN,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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