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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PHM30NQ10T,518

原始制造廠商：NXP，恩智浦半導體

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：PHM30NQ10T,518

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：37.6A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 18A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：53.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3600pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-HVSON（6x5）

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