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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：BUK9Y65-100E,115

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V LFPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

NXP恩智浦完整型號：BUK9Y65-100E,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 100V LFPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：63.3 毫歐 @ 5A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1523pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56， Power-SO8

BUK9Y65-100E,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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