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      圖片信息
      BLS6G2731-6G,112圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:BLS6G2731-6G,112
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術標準參數(shù):TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
    6. 產(chǎn)品應用分類:RF場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:BLS6G2731-6G,112
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
    13. 系列:-
    14. 晶體管類型:LDMOS
    15. 頻率:2.7GHz ~ 3.1GHz
    16. 增益:15dB
    17. 電壓 - 測試:32V
    18. 額定電流:3.5A
    19. 噪聲系數(shù):-
    20. 電流 - 測試:25mA
    21. 功率 - 輸出:6W
    22. 電壓 - 額定:60V
    23. 封裝/外殼:SOT-975C
    24. 供應商器件封裝:SOT975C
    25. BLS6G2731-6G,112均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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