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      圖片信息
      BLP05H6350XRY圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:BLP05H6350XRY
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):POWER LDMOS TRANSISTOR
    6. 產(chǎn)品應用分類:RF FET
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號: BLP05H6350XRY
    11. 制造廠家名稱: NXP Semiconductors
    12. 功能總體簡述: POWER LDMOS TRANSISTOR
    13. 系列: -
    14. 晶體管類型: LDMOS(雙),共源
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
    16. 頻率: 108MHz
    17. 增益: 27dB
    18. 頻率 - 躍遷: -
    19. 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): -
    20. 電壓 - 測試: 50V
    21. 額定電流: -
    22. 功率 - 最大值: -
    23. 噪聲系數(shù): -
    24. 不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
    25. 電流 - 測試: 100mA
    26. 功率 - 輸出: 350W
    27. 電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
    28. 安裝類型: -
    29. 電壓 - 額定: 135V
    30. 封裝/外殼: SOT-1223-2
    31. 供應商器件封裝:
    32. BLP05H6350XRY均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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