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      圖片信息
      BLF6G10LS-135RN,11圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:BLF6G10LS-135RN,11
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術標準參數(shù):TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
    6. 產(chǎn)品應用分類:RF場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:BLF6G10LS-135RN,11
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
    13. 系列:-
    14. 晶體管類型:LDMOS
    15. 頻率:871.5MHz ~ 891.5MHz
    16. 增益:21dB
    17. 電壓 - 測試:28V
    18. 額定電流:32A
    19. 噪聲系數(shù):-
    20. 電流 - 測試:950mA
    21. 功率 - 輸出:26.5W
    22. 電壓 - 額定:65V
    23. 封裝/外殼:SOT-502B
    24. 供應商器件封裝:SOT502B
    25. BLF6G10LS-135RN,11均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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