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      圖片信息
      A2T18S261W12NR3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:A2T18S261W12NR3
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    7. 點擊此處下載A2T18S261W12NR3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:A2T18S261W12NR3
    11. 制造商:NXP USA Inc.
    12. 描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. 晶體管類型:LDMOS
    16. 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz
    17. 增益:18.2dB
    18. 電壓-測試:28V
    19. 額定電流(安培):10μA
    20. 噪聲系數(shù):-
    21. 電流-測試:1.5A
    22. 功率-輸出:280W
    23. 電壓-額定:65V
    24. 封裝:OM-880X-2L2L
    25. A2T18S261W12NR3均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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