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      圖片信息
      JAN1N6109US圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:JAN1N6109US
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標準參數(shù):TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
    6. 產(chǎn)品應用分類:TVS - 二極管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:JAN1N6109US
    11. 制造商:Microsemi Corporation
    12. 描述:TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
    13. 系列:TVS - 二極管
    14. 產(chǎn)品系列:Military, MIL-PRF-19500/516
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. 類型:齊納
    17. 單向通道:-
    18. 雙向通道:1
    19. 電壓-反向斷態(tài)(典型值):9.9V
    20. 電壓-擊穿(最小值):11.73V
    21. 不同Ipp時電壓-箝位(最大值):19.11V
    22. 電流-峰值脈沖(10/1000μs):26.13A
    23. 功率-峰值脈沖:500W
    24. 電源線路保護:無
    25. 應用:通用
    26. 不同頻率時電容:-
    27. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    28. 安裝類型:表面貼裝型
    29. 封裝:SQ-MELF,B
    30. JAN1N6109US均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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