深圳市南皇電子有限公司長期提供APTM120DA30T1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTM120DA30T1G

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

產(chǎn)品應用分類：場效應管模塊

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技術參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA30T1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：31A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V

功率 - 最大值：657W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應商器件封裝：SP1

APTM120DA30T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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