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      圖片信息
      APTM10HM19FT3G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:APTM10HM19FT3G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管模塊
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APTM10HM19FT3G
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
    13. 系列:-
    14. FET 類型:4 個 N 通道(H 橋)
    15. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    16. 漏源極電壓 (Vdss):100V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):70A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):21 毫歐 @ 35A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):200nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5100pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:208W
    23. 安裝類型:底座安裝
    24. 封裝/外殼:SP3
    25. 供應(yīng)商器件封裝:SP3
    26. APTM10HM19FT3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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