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      圖片信息
      APTM10DDAM19T3G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:APTM10DDAM19T3G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:APTM10DDAM19T3G
    11. 制造商:Microsemi Corporation
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:標準
    18. 漏源電壓(Vdss):100V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):70A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 35A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):200nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5100pF @ 25V
    24. 功率-最大值:208W
    25. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:底座安裝
    27. 封裝:SP3
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