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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APTM100DDA35T3G

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APTM100DDA35T3G

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：22A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：420 毫歐 @ 11A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V

功率-最大值：390W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP3

APTM100DDA35T3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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