深圳市南皇電子有限公司長期提供APTGT50H60RT3G（品牌: Microsemi）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTGT50H60RT3G

技術標準參數：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

產品應用分類：IGBT模塊

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技術參數詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTGT50H60RT3G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

配置：全橋反相器

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A

功率 - 最大值：176W

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A

電流 - 集電極截止（最大值）：250μA

不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.15nF @ 25V

輸入：單相橋式整流器

NTC 熱敏電阻：是

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP3

供應商器件封裝：SP3

APTGT50H60RT3G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Microsemi

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