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      圖片信息
      APTGF25H120T3G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:APTGF25H120T3G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:IGBT模塊
    7. 點擊此處下載APTGF25H120T3G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APTGF25H120T3G
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
    13. 系列:-
    14. IGBT 類型:NPT
    15. 配置:全橋反相器
    16. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
    17. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40A
    18. 功率 - 最大值:208W
    19. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.7V @ 15V,25A
    20. 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
    21. 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):1.65nF @ 25V
    22. 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
    23. NTC 熱敏電阻:是
    24. 安裝類型:底座安裝
    25. 封裝/外殼:SP3
    26. 供應(yīng)商器件封裝:SP3
    27. APTGF25H120T3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    28. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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