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圖片信息
APTC60TAM35PG圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTC60TAM35PG
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
  • 產品應用分類:場效應管模塊
  • 點擊此處下載APTC60TAM35PG的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTC60TAM35PG
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
  • 系列:-
  • FET 類型:6 N-溝道(3 相橋)
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):72A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):518nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:416W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應商器件封裝:SP6-P
  • APTC60TAM35PG均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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