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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APTC60AM45T1G

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTC60AM45T1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

系列：-

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：49A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 24.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7200pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應(yīng)商器件封裝：SP1

APTC60AM45T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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