深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APT80SM120B（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

APT80SM120B - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT80SM120B

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 80A TO247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT80SM120B

制造商：Microsemi Corporation

描述：SICFET N-CH 1200V 80A TO247

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 40A，20V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：235nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：555W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-247

APT80SM120B均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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