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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APT75GP120B2G

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單路IGBT

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APT75GP120B2G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A

Current - Collector Pulsed (Icm)：300A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，75A

功率 - 最大值：1042W

Switching Energy：1620μJ （開）， 2500μJ （關(guān)）

輸入類型：標準

Gate Charge：320nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：20ns/163ns

Test Condition：600V, 75A, 5 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3 變式

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：*

APT75GP120B2G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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