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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT45GR65B2DU30

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT45GR65B2DU30

制造商：Microsemi Corporation

描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：118A

電流-集電極脈沖(Icm)：224A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A

功率-最大值：543W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：203nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：15ns/100ns

測試條件：433V，45A，4.3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：80ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

APT45GR65B2DU30均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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