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      圖片信息
      APT35GP120J圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:APT35GP120J
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術標準參數(shù):IGBT 1200V 64A 284W SOT227
    6. 產(chǎn)品應用分類:IGBT模塊
    7. 點擊此處下載APT35GP120J的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APT35GP120J
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227
    13. 系列:POWER MOS 7
    14. IGBT 類型:PT
    15. 配置:單一
    16. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
    17. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64A
    18. 功率 - 最大值:284W
    19. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A
    20. 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
    21. 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):3.24nF @ 25V
    22. 輸入:標準
    23. NTC 熱敏電阻:無
    24. 安裝類型:底座安裝
    25. 封裝/外殼:ISOTOP
    26. 供應商器件封裝:ISOTOP
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