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      圖片信息
      APT35GP120B2DQ2G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:APT35GP120B2DQ2G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術標準參數:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
    6. 產品應用分類:單路IGBT
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    9. 技術參數詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APT35GP120B2DQ2G
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
    13. 系列:POWER MOS 7
    14. IGBT 類型:PT
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
    16. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):96A
    17. Current - Collector Pulsed (Icm):140A
    18. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A
    19. 功率 - 最大值:543W
    20. Switching Energy:750μJ (開), 680μJ (關)
    21. 輸入類型:標準
    22. Gate Charge:150nC
    23. 25°C 時 Td(開/關)值:16ns/95ns
    24. Test Condition:600V, 35A, 4.3 歐姆, 15V
    25. 反向恢復時間 (trr):-
    26. 封裝/外殼:TO-247-3 變式
    27. 安裝類型:通孔
    28. 供應商器件封裝:*
    29. APT35GP120B2DQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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