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      圖片信息
      APT33N90JCCU2圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):APT33N90JCCU2
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    7. 點(diǎn)擊此處下載APT33N90JCCU2的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):APT33N90JCCU2
    11. 制造商:Microsemi Corporation
    12. 描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):900V
    19. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):33A(Tc)
    20. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V
    22. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA
    23. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V
    26. FET功能:超級(jí)結(jié)
    27. 功率耗散(最大值):290W(Tc)
    28. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:底座安裝
    30. 器件封裝:SOT-227
    31. APT33N90JCCU2均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    32. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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