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      圖片信息
      APT17F120J圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:APT17F120J
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管模塊
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APT17F120J
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
    13. 系列:POWER MOS 8?
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    16. 漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):580 毫歐 @ 14A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):300nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9670pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:545W
    23. 安裝類型:底座安裝
    24. 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
    25. 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP
    26. APT17F120J均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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