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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTM10HM09FT3G

技術標準參數(shù)：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APTM10HM09FT3G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：4 個 N 通道（H 橋）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：139A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V

功率-最大值：390W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP3

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