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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APTM100A13DG

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APTM100A13DG

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：65A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：562nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：15200pF @ 25V

功率-最大值：1250W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP6

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