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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APT60GT60JRDQ3

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 105A 379W SOT227

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APT60GT60JRDQ3

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT 600V 105A 379W SOT227

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：NPT

配置：單路

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：105A

功率-最大值：379W

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A

電流-集電極截止（最大值）：330μA

不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：3.1nF @ 25V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC熱敏電阻：無

工作溫度：-

安裝類型：底座安裝

封裝：SOT-227-4，miniBLOC

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