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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT35GP120B2D2G

原始制造廠商：Microchip，微芯科技

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT35GP120B2D2G

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：PT

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：96A

電流-集電極脈沖(Icm)：140A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，35A

功率-最大值：540W

開關(guān)能量：1mJ（開），1.185mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：150nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：14ns，99ns

測試條件：800V，35A，5 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：85ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3 變式

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