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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APT100GN60LDQ4G

原始制造廠商：Microchip，微芯科技

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 229A 625W TO264

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT100GN60LDQ4G

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT 600V 229A 625W TO264

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：229A

電流-集電極脈沖(Icm)：300A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，100A

功率-最大值：625W

開關(guān)能量：4.75mJ（開），2.675mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：600nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：31ns/310ns

測試條件：400V，100A，1 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-264-3，TO-264AA

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