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      圖片信息
      DS1258W-100IND#圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:DS1258W-100IND#
    4. 原始制造廠商:Maxim,(美信半導體)
    5. 技術標準參數(shù):IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
    6. 產(chǎn)品應用分類:存儲器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:DS1258W-100IND#
    11. 制造商:Maxim Integrated
    12. 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
    13. 產(chǎn)品系列:存儲器
    14. 包裝:管件
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    17. 存儲器類型:非易失
    18. 存儲器格式:NVSRAM
    19. 技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)
    20. 存儲容量:2Mb(128K x 16)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:-
    23. 寫周期時間-字,頁:100ns
    24. 訪問時間:100ns
    25. 電壓-供電:3V ~ 3.6V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:通孔
    28. 產(chǎn)品封裝:40-DIP 模塊(0.610,15.495mm)
    29. DS1258W-100IND#均從Maxim代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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