深圳市南皇電子有限公司長期提供SPB08P06P G（品牌: Infineon）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SPB08P06P G

技術標準參數：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：SPB08P06P G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 6.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：420pF @ 25V

功率 - 最大值：42W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-2

SPB08P06P G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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